固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要散热和足够的气流。如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以及工业和军事应用。支持隔离以保护系统运行，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，通风和空调 （HVAC） 设备、从而实现高功率和高压SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

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